Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
• Напряжение коллектор-эмиттер (Vce) -40В
• Непрерывный ток коллектора (Ic) -200мА
• Рассеивание мощности 625мВт
• Диапазон рабочей температуры перехода от -55°C до 150°C
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер менее 400мВ при Ic=10мА
• Коэффициент усиления DC тока более 30 при Ic = 100мА
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер 40В
Стиль Корпуса Транзистора to-92
Рассеиваемая Мощность 625мВт
Полярность Транзистора pnp
DC Ток Коллектора 200ма
DC Усиление Тока hFE 100hFE
Частота Перехода ft 250МГц
Transistor Mounting Through Hole
Вес, г 0.2